半導體業者指出，近期臺積電Fab 12第5期已悄悄完成整地，預計2010年起開始興建廠房，待廠辦與無塵室工程完成后，2010年10月可望進行裝機;至于南科12寸廠Fab 14第4期亦預計在2010年底導入機器設備，預計2座廠產能各約單月3.5萬片，并將投入45/40納米以下制程技術研發及生產。
事實上，聯電自2009年第3季起于臺南12寸廠Fab 12A展開45/40納米制程投片，為大客戶賽靈思(Xilinx)代工可程序邏輯閘陣列(FPGA)芯片，聯電為擴大產能，并搶攻市場占有率，亦將在新加坡生產基地Fab 12i積極啟動擴產計畫。設備業者表示，目前包括德儀(TI)、恩威迪亞(NVIDIA)、超微(AMD)都有相關合作案，手機芯片大廠英飛凌 (Infineon)及聯發科亦有進入45/40納米制程計畫，這讓臺積電必須得加速先進制程擴產腳步。
隨著聯電、中芯等競爭者45納米制程推展進程加快，晶圓代工龍頭臺積電決定擴大投資力道，全面拉開與競爭對手差距，臺積電計劃南、北開攻，啟動新竹、南科12寸晶圓廠全新擴產計畫，總投資額將上看60億美元，預計2010年下半起展開裝機。由于臺積電先進制程擴產及良率將成為2010年重點營運主軸，亦將牽動內部人事異動，業界傳出負責先進制程營運的副總劉德音，極可能擢升為空缺許久的營運長(COO)。不過，臺積電26日并未證實上述說法。
半導體業者表示，中芯在上海技術論壇宣布45納米制程近日即將投產，加上聯電擴大布建新加坡生產基地Fab 12i在45/40納米制程產能，迫使向來在先進制程領先的臺積電，不得不擴大投資力道，以保持在產能與技術領先，并穩住晶圓代工一哥地位風淋門。因此，臺積電本周將登場的法說會上，預料將宣布對2010年資本支出走向看法，其中，12寸廠擴建將是眾所矚目焦點，且預料臺積電11月董事會亦將針對擴產及資本預算進行討論。
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